(2)或无锅,则继续输出PWM试探信号,同时发出指示无锅的报知信息(见故障代码表),如30秒钟内仍不合乎条件,则关机。

  AC220V由D17、D18整流的脉动直流电压通过R40限流再经过，C33、R39 C32组成的π型滤波器进行滤波后的电压，经R38分压后的直流电压，送入CPU 6 ,根据监测该电压的变化,CPU会自动作出各种动作指令。

  IGBTQ1的VCE电压变化:在静态时,UC为输入电源经过整流后的直流电源,t1~t2,IGBTQ1饱和导通,UC接近地电位,t4~t5, IGBT阻尼管导通,UC为负压(电压为阻尼二极管的顺向压降),t2~t4,也就是LC自由振荡的半个周期,UC上出现峰值电压,在t3时UC达到最大值。

  以上分析证实两个问题:一是在高频电流的一个周期里,只有i1是电源供给L的能量,所以i1的大小就决定加热功率的大小,同时脉冲宽度越大,t1~t2的时间就越长,i1就越大,反之亦然,所以要调节加热功率,只需要调节脉冲的宽度;二是LC自由振荡的半周期时间是出现峰值电压的时间,亦是IGBTQ1的截止时间,也是开关脉冲没有到达的时间,这一段时间关系是不能错位的,如峰值脉冲还没有消失,而开关脉冲己提前到来,就会出现很大的导通电流使IGBTQ1烧坏,因此必须使开关脉冲的前沿与峰值脉冲后沿相同步。

  电流互感器CT1二次测得的AC电压,经D1~D4组成的桥式整流电路整流、R12、R13分压，C11滤波,所获得的直流电压送至CPU 5脚,该电压越高,表示电源输入的电流越大, CPU根据监测该电压的变化,自动作出各种动作指令:

  时间t1~t2时当开关脉冲加至IGBTQ1的G极时, IGBTQ1饱和导通,电流i1从电源流过L1,由于线圈感抗不允许电流突变.所以在t1~t2时间i1随线时脉冲结束, IGBTQ1截止,同样由于感抗作用,i1不能立即突变0,于是向C3充电,产生充电电流i2,在t3时间,C3电荷充满,电流变0,这时L1的磁场能量全部转为C3的电场能量,在电容两端出现左负右正,幅度达到峰值电压,在IGBTQ1的CE极间出现的电压实际为逆程脉冲峰压电源电压,在t3~t4时间,C3通过L1放电完毕,i3达到最大值,电容两端电压消失,这时电容中的电能又全部转化为L1中的磁能,因感抗作用,i3不能立即突变0,于是L1两端电动势反向,即L1两端电位左正右负,由于IGBT内部阻尼管的存在,C3不能继续反向充电,而是经过C2、IGBT阻尼管回流,形成电流i4,在t4时间,第二个脉冲开始到来,但这时IGBTQ1的UE为正,UC为负,处于反偏状态,所以IGBTQ1不能导通,待i4减小到0,L1中的磁能放完,即到t5时IGBTQ1才开始第二次导通,产生i5以后又重复i1~i4过程,因此在L1上就产生了和开关脉冲f(20KHz~30KHz)相同的交流电流。t4~t5的i4是IGBT内部阻尼管的导通电流,在高频电流一个电流周期里,t2~t3的i2是线放电的电流,t4~t5的i4是L1两端电动势反向时,因的存在令C3不能继续反向充电,而经过C2、IGBT阻尼管回流所形成的阻尼电流,IGBTQ1的导通电流其实就是i1。

  (1)当不加热时,CPU 17脚输出低电平(同时CPU 10脚也停止PWM输出), D7导通,将LM339 9电压拉低,振荡停止,使IGBT激励电路停止输出,IGBT截止,则加热停止。

  开始加热时, CPU 17脚输出高电平,D7截止,同时CPU 10脚开始间隔输出PWM试探信号,同时CPU通过一系列分析电流检测电路和VAC检测电路反馈的电压信息、VCE检测电路反馈的电压波形变动情况,判断是否己放入适合的锅具,如果判断己放入适合的锅具,CPU10脚转为输出正常的PWM信号,电磁炉进入正常加热状态,如果电流检测电路、VAC及VCE电路反馈的信息,不合乎条件,CPU会判定为所放入的锅具不符

  CPU输出PWM脉冲到由R30、C27、R31组成的积分电路, PWM脉冲宽度越宽,C28的电压越高,C29的电压也跟着升高,送到振荡电路(G点)的控制电压随着C29的升高而升高,而G点输入的电压越高, V7处于ON的时间越长,电磁炉的加热功率越大,反之越小。

  “CPU通过控制PWM脉冲的宽与窄,控制送至振荡电路G的加热功率控制电压，控制了IGBT导通时间的长短,结果控制了加热功率的大小”。

  “G点输入的电压越高, V7处于ON的时间越长,电磁炉的加热功率越大,反之越小”。

  绝缘双栅极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不一样的材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图),分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。从IGBT的下述特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。

  LM339内置四个翻转电压为6mV的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(输入端电压高于-入输端电压),置于LM339内部控制输出端的三极管截止,此时输出端相当于开路;当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于输入端电压),置于LM339内部控制输出端的三极管导通,将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为0V。

  振荡电路输出幅度约4.1V的脉冲信号,此电压不能直接控制IGBT的饱和导通及截止,所以一定要通过激励电路将信号放大才行,该电路工作过程如下:

  (1)判别输入的电源电压是否在充许范围内,否则停止加热,并报知信息(见故障代码表)。

  (2)配合电流检测电路、VCE电路反馈的信息,判别是否己放入适合的锅具,作出相应的动作指令(见加热开关控制及试探过程一节)。

  (3)配合电流检测电路反馈的信息及方波电路监测的电源频率信息,调控PWM的脉宽,令输出功率保持稳定。

  3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。4.击穿电压高,安全工作区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us,约为GTR的10%,接近于功率MOSFET,开关频率直达100KHz,开关损耗仅为GTR的30%。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。

  (1)配合VAC检测电路、VCE电路反馈的信息,判别是否己放入适合的锅具,作出相应的动作指令(见加热开关控制及试探过程一节)。

  (2)配合VAC检测电路反馈的信息及方波电路监测的电源频率信息,调控PWM的脉宽,令输出功率保持稳定。

  将IGBT(Q1)集电极上的脉冲电压通过R1R17、R28分压R29限流后，送至LM339 6脚,在6脚上获得其取样电压,此反影了IGBT的VCE电压变化的信息送入LM339, LM339根据监测该电压的变化,自动作出电压比较而决定是不是工作。

  市电经整流器整流、滤波后的310V直流电，由R15R14、R16分压产生V3,R1R17、R28分压产生V4,在高频电流的一个周期里,在t2~t4时间(图1),由于C14两端电压为上负下正,所以V3V5,V7 OFF(V7=0V),振荡没有输出,也就没开关脉冲加至Q1的G极,保证了Q1在t2~t4时间不会导通,在t4~t6时间,C3电容两端电压消失, V3V4, V5上升,振荡有输出,有开关脉冲加至Q1的G极。以上动作过程,保证了加到Q1 G极上的开关脉冲前沿与Q1上产生的VCE脉冲后沿相同步。

  电磁炉是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将50/60Hz的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿(导磁又导电材料)底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。